سامسونج تتنج أولى ذواكر DRAM فئة 10 نانو متر مبنية على تقنية ألترا فولت

أعلنت شركة سامسونج الرائدة في صناعة الذواكر عالمياً عن شحنها أول مليون رقاقة ذاكرة 10 نانومتر DDR4 مبنية على تقنية ألترا فولت؛ والتي من شأنها أن تعطي تحسناً ملحوظاً على أداء ذاكرة الوصول العشوائي بشكل ملموس وواقعي. وتقول الشركة في مدونتها حيث أعلنت عن هذا النجاح أنها وبإنتاج ذاكرة الوصول العشوائي DRAM المبنية على تقنية … التدوينة سامسونج تتنج أولى ذواكر DRAM فئة 10 نانو متر مبنية على تقنية ألترا فولت ظهرت أولاً على عالم التقنية.

تقنية      |         (منذ: 2 أسابيع | 33 قراءة)
.